オンセミ、縦型窒化ガリウムパワー半導体開発

　航空宇宙・防衛分野等でより小型・軽量システム実現

　オンセミは11月4日、縦型窒化ガリウム（vGaN）パワー半導体を発表した。次世代GaN-on-GaNパワー半導体は、電流が化合物半導体を垂直方向に流れることで、より高い動作電圧と高速なスイッチング周波数を達成することができる。これにより、AIデータセンター、電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、航空宇宙・防衛・セキュリティの各分野において、より小型かつ軽量なシステムを実現することなどに寄与する。